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1.1 特性
- 单三态PWM输入
- 分流输出，可调节开启/关闭速度
- 强1-Ω上拉和0.2-Ω下拉电阻
- 内部强大而智能的Bootstrap开关
- 针对GaN FET优化的可调死区时间
- 自适应直通保护
- 快速传播延迟（典型22ns）
- 高压侧浮动电源工作电压高达100V
- 内置UVLO、OVLO、OTP保护
- WLCSP 1.62mmx1.62mm封装
产品
INS2002W
具有双PWM输入的100V半桥GaN驱动器
1. 产品描述
INS2002是一款100V半桥驱动器，设计用于高效驱动氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。
1.2 应用市场
- 半桥和全桥转换器
- 高压同步DC-DC转换器
- 高频、高功率密度应用
- 48V直流电机驱动
- 大功率D类音频功率放大器
- 车载48V/12V双向DC-DC
