English
中文
1.1 特性
- 独立的高端和低端逻辑输入
- 可调节开启/关闭速度的分流输出
- 强大的1-Ω上拉和0.2-Ω下拉电阻
- 内部强大智能引导交换机
- 快速传播延迟（典型为14ns）
- 出色的延迟匹配（1ns典型）
- 高压侧浮动电源工作电压高达100V
- 内置UVLO、OVLO、OTP保护
- 35μA低VCC静态电流
- FCQFN 3mmx3mm封装
产品
INS2001FQ
具有双PWM输入的100V半桥GaN驱动器
1. 产品描述
INS2001是一款100V半桥驱动器，用于有效驱动高侧和低侧氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。
1.2 应用市场
- 半桥和全桥转换器
- 高压同步DC-DC转换器
- 高频、高功率密度应用
- 48V直流电机驱动
- 大功率D类音频功率放大器
- 汽车48V/12V双向DC-DC
