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INS1001DE
单通道GaN驱动器
1. 产品描述
INS1001是用于驱动低侧、高侧或次级侧SR应用中的单通道GaN FET。
1.1 特性
6V至20V工作电压范围
灵活的PWM/PWMB双输入控制
独立的上拉/下拉驱动输出便于调节开通/关断速度
强大的1.3Ω上拉和0.5Ω下拉电阻
带输入去偏振的快速传播延迟
用户可调的栅极驱动电压
集成5V LDO,用于提供数字隔离器
内置UVLO、OVP、OTP保护
1.2 应用市场
开关模式电源
AC-DC、DC-DC转换器
Boost、Flyback和Forward转换器
半桥和全桥转换器
同步整流
太阳能逆变器、电机控制、UPS
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