1.1 特性
- 带集成栅极驱动器的100mΩ常闭型GaN
- 700V连续电压,800V瞬态额定电压
- 9V至80V VCC范围,无额外的LDO
- 115uA静态电流,带自动待机模式
- 集成无损耗电流传感
- 可编程开关开启回转速率
- 高dv/dt,抗扰度高达200V/ns
- 零反向恢复电荷
- 2MHz高频率
- 快速传播延迟(典型为25ns)
- 集成5V LDO,用于提供数字隔离器
- 内置UVLO、OCP、OTP保护
- QFN 6mmx8mm封装,0.85mm厚度
700V 集成合封GaN驱动器
ISG6109 SolidGaN 集成电路集成了700V 常闭型GaN FET、高压线性稳压器、智能栅极驱动器和无损耗电流传感电路。
Parameter | Value |
---|---|
VDS,max | 700V |
RDS(on),max | 450mΩ |
Qoss | 13.7nC |
ID,max | 4A |
IDPuls,max | 8A |