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1.1 特性
- 通过AEC-Q101认证
- 超高开关频率和超低RDS(on)
- 快速可控的升降时间
- 零反向恢复损失
- 注*：VGS（TH）偏移率在1000小时后可靠性应力的25%以内
产品
INN80LA01
自动驾驶80V增强型GaN功率晶体管
1. 产品描述
基于先进GaN技术的80V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用 LGA 2.3 mm x 3.3 mm 封装。
1.2 应用市场
- 激光雷达应用
- 同步整流和D类音频
- 包络跟踪电源
- 高频DC-DC转换器
自动驾驶80V增强型GaN功率晶体管
基于先进GaN技术的80V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用 LGA 2.3 mm x 3.3 mm 封装。
