1.1 特性
- 独立的高侧和低侧逻辑输入
- 高侧和低侧驱动器联锁
- 分体式输出,可调节开启/关闭速度
- 1-Ω上拉和0.2-Ω下拉电阻
- 内部强大而智能的启动开关
- 自适应透射保护
- 快速传播延迟(典型值为20ns)
- 出色的延迟匹配(典型值为1ns)
- 高压侧浮动电源工作电压高达100V
- 内置UVLO、OVLO、OTP保护
- 35μA低VCC静态电流
- FCQFN 3mmx3mm封装
带联锁系统PWM输入的100V半桥GaN驱动器
INS2003是一款100V半桥驱动器,旨在高效驱动高压侧和低压侧氮化镓场效应晶体管(GaN FET),为解决传统MOSFET驱动器解决方案中常见的挑战而定制。
Parameter | Value |
---|---|
Vbus_max (V) | 100 V |
VCC_min (V) | 4.5 V |
VCC_max (V) | 5.5 V |