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1.1 特性
- 独立的高侧和低侧逻辑输入
- 高侧和低侧驱动器联锁
- 分体式输出，可调节开启/关闭速度
- 1-Ω上拉和0.2-Ω下拉电阻
- 内部强大而智能的启动开关
- 自适应透射保护
- 快速传播延迟（典型值为20ns）
- 出色的延迟匹配（典型值为1ns）
- 高压侧浮动电源工作电压高达100V DC
- 内置UVLO、OVLO、OTP保护
- 35μA低VCC静态电流
- WLCSP 1.62mmx1.62mm封装
产品
INS2003W
带联锁系统PWM输入的100V半桥GaN驱动器
1. 产品描述
INS2003是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高压侧和低压侧氮化镓场效应晶体管（GaN FET），为解决传统MOSFET驱动器解决方案中常见的挑战而定制。
1.2 应用市场
- 半桥和全桥转换器
- 高压同步DC-DC转换器
- 高频、高功率密度应用
- 48V直流电机驱动
- 高功率D类音频功率放大器
- 汽车48V/12V双向DC-DC
| Parameter | Value |
|---|---|
| Vbus_max (V) | 100 V |
| VCC_min (V) | 4.5 V |
| VCC_max (V) | 5.5 V |