英诺赛科-Product

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INN100EA035A

100V增强型GaN功率晶体管

1. 产品描述

基于先进GaN技术的100V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用En-FCLGA 3.3 mm x 3.3mm 封装。

1.1 特性

硅基GaN E型HEMT技术
满足工业应用
极低的栅极电荷
超低导通电阻
超小占板面积

1.2 应用市场

高频DC-DC转换器
高密度DC/DC电源模块
同步整流
电机驱动器
太阳能系统MPPT

Parameter	Value
V_DS,max	100V
R_DS(on),max @ V_GS = 5 V	3.5mΩ
Q_G,typ @ V_DS = 50 V	7.6nC
I_D,pulse	230A
Q_OSS @ V_DS = 50 V	42nC

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可靠性报告

SPICE 模型