英诺赛科-Product

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INN100W032B

100V增强型氮化镓功率半导体

1. 产品描述

采用Solder Bar WLCSP 3.5mm x 2.13mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管

1.1 产品特性

硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
极低栅极电荷
极低导通电阻
超小封装尺寸
零反向恢复电荷

1.2 应用市场

同步整流
Class D功放
高频DC-DC转换器
通信基站
电机驱动

Parameter	Value
V_DS,max	100V
R_DS(on),max @ V_GS = 5V	3.2mΩ
Q_G,typ @ V_DS = 50V	9.2nC
I_D,pulse	230A
Q_OSS @ V_DS = 50V	50nC

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