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1.1 特性
- 双向导通能力
- 硅基氮化镓E-Mode HEMT技术
- 超低导通电阻
产品
INV030FQ012A
30V双向导通GaN增强型功率晶体管
1. 产品描述
30V双向导通GaN增强型功率晶体管，采用FCQFN 6mm x 4mm 封装。
1.2 应用市场
- 高压侧负载开关
- OVP保护
- 多电源系统中的开关电路
2. 可靠性测试
| Platform (B040E2.5) | ||||
|---|---|---|---|---|
| Product (INV030FQ012A) | ||||
| Test Items | Test Conditions | Sample Size (Unit x Lot) | #Fail | Result |
| HTRB | T=150°C, VD1=24V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTRB | T=150°C, VD2=24V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTGB | T=150°C, VG=5.5V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HBM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class 1B |
| CDM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class C1 |
