1.1 特性
- 具有栅极驱动器的2.4mΩ半桥GaN FET
- 80V连续,100V瞬态额定电压
- 最高可切换5MHz
- 独立的高压侧和低压侧PWM输入
- 内部强大智能引导交换机
- 快速传播延迟(典型为14ns)
- 出色的延迟匹配(1ns典型)
- 内置UVLO、OVLO、OTP保护
- 35μA低VCC静态电流
- 集成VCC/BST电容器
- 高dv/dt抗扰度高达50V/ns
- 可调节开启速度
- 针对简单和低EMI PCB布局进行了优化
- LGA 5mmx6.5mm封装
具有集成栅极驱动器的100V半桥SolidGaN
ISG3202是一款100V、60A半桥SolidGaN,采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装。
Parameter | Value |
---|---|
VDS,max | 100V |
RDS(on),max |
3.2mΩ+3.2mΩ |
QG,typ |
9.2nC+9.2nC |
Qoss(nC) | 50nC+50nC |