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1.1 特性
- 8英寸硅基氮化镓技术
- 双向导通能力
- 超低导通电阻
产品
INV100FQ030A
100V增强型双向导通GaN功率晶体管
1. 产品描述
基于先进的VGaN技术的双向导通100V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用 4mmX6mm FCQFN封装。
1.2 应用市场
- BMS电池保护
- 双向变换器中的高侧负载开关
- 多电源系统中的开关电路
2. 可靠性测试
| Platform (V100E2.0I) | ||||
|---|---|---|---|---|
| Product (INV100FQ030A) | ||||
| Test Items | Test Conditions | Sample Size (Unit x Lot) | #Fail | Result |
| HTRB | T=150°C, VD=80V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTGB | T=150°C, VG=5.5V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HBM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class 1B |
| CDM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class C2a |
| DHTOL | Vg=5V, Load current=16A(DC), Tj=125°C, Always on | 8set x 3 | 0 Fail | Pass |
| MSL3 | T=30°C, RH=60%, 3 x reflow, 192hrs | 25 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTS | T=150°C | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| PLTC | -55 to +150°C, Air, 1000Cys. | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| H3TRB | T=85°C, RH=85%, VD=120V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HAST | T=130°C, RH=85%, VD=42V, 96hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| IOL | ΔTj ≥100°C, ton/ toff=2 min /2 min, 7500cyc | 77*3 | 0 Fail | Pass |
3. 16S/120A BMS Low-Side Protect 参考方案
3.1 拓扑图
3.2 关键规格
自带电池平衡；
AFE IC：SH367309；
输出规格：最大16串，不带散热器100A，带散热器120A
3.3 应用领域
电动自行车、储能等 48V 电池系统
| Parameter | Value |
|---|---|
| VDD,max | 100V |
| RDD(on),max @ VG = 5 V | 3.2mΩ |
| QG,typ @ VDD = 50 V | 90nC |
| ID,DC | 100A |