英诺赛科-Product

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INN100W800A-Q

车规级100V增强型GaN功率晶体管

1. 产品描述

采用 WLCSP 封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管（HEMT），尺寸为0.9 mm x 0.9 mm。

1.1 特性

AEC-Q101认证
硅基GaN E Mode 技术
极低的栅极电荷
封装尺寸非常小
零反向恢复

1.2 应用市场

激光雷达应用
高功率密度DC-DC转换器
D类音频
高强度前照灯

Parameter	Value
V_DS,max	100V
R_DS(on),max @ V_G = 5 V	80mΩ
Q_G,typ @ V_DS = 50 V	0.75nC
I_{DS, Pulse}	17A
Qoss@ Vds = 50V	4nC

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产品规格书

SPICE 模型