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1.1 特性
- 8英寸硅基氮化镓技术
- 工业应用
- 极低栅极电荷
- 超低导通电阻
- 占板面积非常小
产品
INN150EQ070A
150V增强型GaN功率晶体管
1. 产品描述
基于先进GaN技术的150V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用En-FCQFN 4mmX6mm 封装。
1.2 应用市场
- 高频DC-DC转换器
- 太阳能系统优化器和微型逆变器
- PD充电器和PSU同步整流
- 电信电源
- 电机驱动器
2. 可靠性测试
| Platform (S150E2.0I) | ||||
|---|---|---|---|---|
| Product (INN150EQ070A) | ||||
| Test Items | Test Conditions | Sample Size (Unit x Lot) | #Fail | Result |
| MSL3 | T=30°C, RH=60%, 3 x reflow, 192hrs | 0 Fail | 25 x 5 | Pass |
| HTS | T=150℃ | 0 Fail | 77 x 4 | Pass |
| TC | -55 to +150°C, Air, 1000Cys. | 0 Fail | 77 x 5 | Pass |
| H3TRB | T=85°C, RH=85%, VD=80V/120V, 1000hrs | 0 Fail | 77 x 4 | Pass |
| HAST | T=130°C, RH=85%, VD=42V, 96hrs | 0 Fail | 77 x 4 | Pass |