产品

INN060FQ043A

60V增强型GaN增强型功率晶体管

1. 产品规格书

基于先进GaN技术的60V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管,采用FCQFN 4mmX3mm 封装。

1.1 特性
  • 8英寸硅基氮化镓技术
  • 极低栅极电荷
  • 超低导通电阻
  • 超小体积
1.2 应用市场
  • 高频DC-DC转换器
  • 负载点
  • 射频包络跟踪
  • 电脑充电器
  • 移动充电宝
  • 电机驱动器

2. 可靠性测试

Platform (S060E2.5)
 Product (INN060FQ043A)
Test ItemsTest ConditionsSample Size (Unit x Lot)#FailResult
MSL3 Ta=30°C, RH=60%, 3 x reflow, 192hrs 25 x 3 0 Fail Pass
HTRB Tj=125°C, VD=48V, 1000hrs 77 x 3 0 Fail Pass
HTRB Tj=150°C, VD=48V, 1000hrs 77 x 1 0 Fail Pass
HTGB(+) Tj=150°C, VG=6.0V, 1000hrs 77 x 3 0 Fail Pass
HTGB(-) Tj=150°C, VG=-4.0V, 1000hrs 77 x 3 0 Fail Pass
TC -40 to +125°C, Air, 1000Cys 77 x 3 0 Fail Pass
H3TRB Ta=85°C, RH=85%, VD=48V, 1000hrs 77 x 3 0 Fail Pass
uHAST T=130℃, RH=85%, 96hrs 77 x 3 0 Fail Pass
Solderability Pre-Con: 8hrs Pb-free: 245±5°C, 5±0.5s 22 x 3 0 Fail Pass
DHTOL BUCK, Vin=36V, Vout=18V, Fsw=600KHz, Tj=125°C, 1000hrs 8 x 3 0 Fail Pass
HBM All Pins 3 x 1 0 Fail Class 1B
CDM All Pins 3 x 1 0 Fail Class 2a

ParameterValue
VDS,max 60V
RDS(on),max @ VG = 5 V 4.3mΩ
QG,typ @ VDS = 30 V 6.2nC
IDPulse 160A
QOSS@ VDS = 30V 18nC
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