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1.1 特性
- 8英寸硅基氮化镓技术
- 极低栅极电荷
- 超低导通电阻
- 零反向恢复电荷
产品
INN030FQ015A
30V 增强型GaN功率晶体管
1. 产品描述
基于先进的GaN技术的30V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用FCQFN 5mmX4mm 封装。
1.2 应用市场
- 高频DC-DC转换器
- 蓄电池充电器
- 电池管理系统
- 笔记本
- 工业
2. 可靠性测试
| Platform (S040E2.5) | ||||
|---|---|---|---|---|
| Product (INN030FQ015A) | ||||
| Test Items | Test Conditions | Sample Size (Unit x Lot) | #Fail | Result |
| HTRB | Tj=150°C, VD=24V, 1000hrs | 77 x 1 | 0 Fail | Pass |
| HTGB | Tj=150°C, VG=5.5V, 1000hrs | 77 x 1 | 0 Fail | Pass |
| DHTOL | BUCK, Vin=24V, Vout=5V, Iout=15A, Fsw=500KHz, Tj=125°C, 1000hrs | 8 x 1 | 0 Fail | Pass |
| HBM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class 1B |
| CDM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class 2a |
| Parameter | Value |
|---|---|
| VDS,max | 30V |
| RDS(on),max @ VG = 5 V | 1.2mΩ |
| QG,typ @ VDS = 20 V | 22.8nC |
| ID, Pulse | 300A |
| QOSS@ VDS = 20V | 43nC |