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INN100W135A-Q
汽车电子100V增强型GaN功率晶体管
1. 产品描述
增强型硅基氮化镓高电子迁移率晶体管,采用WLCSP 2.13X1.63封装。
1.1 特性
通过AEC-Q101认证
8英寸硅基氮化镓技术
极低栅极电荷
零反向恢复电荷
封装尺寸非常小
1.2 应用市场
激光雷达应用
高功率密度DC-DC转换器
D类音频
高强度前照灯
Parameter
Value
V
DS,max
100V
R
DS(on),max
@ V
G
= 5 V
13.5mΩ
Q
G,typ
@ V
DS
= 50 V
3.2nC
I
DS, Pulse
75A
Qoss@ Vds = 50V
20nC
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