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1.1 特性
- 8英寸硅基氮化镓技术
- 工业应用
- 极低栅极电荷
- 超低导通电阻
- 占板面积非常小
产品
INN150FQ032A
150V增强型GaN功率晶体管
1. 产品描述
基于先进的GaN技术的150V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用FCQFN 4mmX6mm 封装。
1.2 应用市场
- 高频DC-DC转换器
- 太阳能系统优化器和微型逆变器
- PD充电器和PSU同步整流
- 电信电源
- 电机驱动器
2. 可靠性测试
| Platform (S150E2.0I) | ||||
|---|---|---|---|---|
| Product (INN150FQ032A) | ||||
| Test Items | Test Conditions | Sample Size (Unit x Lot) | #Fail | Result |
| MSL3 | T=30°C, RH=60%, 3 x reflow, 192hrs | 25 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTRB | T=150°C, VD=150V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTGB | T=150°C, VG=5.5V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTS | T=150°C | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| TC | -55 to +150°C, Air, 1000Cys. | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| H3TRB | T=85°C, RH=85%, VD=120V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HAST | T=130°C, RH=85%, VD=42V, 96hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| DHTOL | Tc=125℃, Vin=120V, Vout=36V, Iout=2.8A, fsw=200KHz | 8 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HBM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class 1C |
| CDM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class C3 |
