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1.1 特性
- 硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
- 极低栅极电荷
- 极低导通电阻
- 超小封装尺寸
- 零反向恢复电荷
产品
INN100W027A
100V增强型氮化镓功率半导体
1. 产品描述
采用Solder Bar WLCSP 4.45mm x 2.3mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管
1.2 应用市场
- 同步整流
- Class D功放
- 高频DC-DC转换器
- 通信基站
- 电机驱动
2. 可靠性测试
英诺赛科的增强型氮化镓场效应晶体管在参考硅基功率MOSFET的条件下经过了全面的可靠性测试，这些测试项目及结果如下所示：
| Platform (S100E2.0) | ||||
|---|---|---|---|---|
| Product (INN100W027A) | ||||
| Test Items | Test Conditions | Sample Size (Unit x Lot) | #Fail | Result |
| MSL1 | T=85°C, RH=85%, 3 x reflow | 0 Fail | 25 x 3 | Pass |
| HTRB | T=150°C, VD=80V | 0 Fail | 77 x 1 | Pass |
| HTGB | T=150°C, VG=5.5V | 0 Fail | 77 x 1 | Pass |
| BLTC | -40 to +125°C | 0 Fail | 77 x 1 | Pass |
| H3TRB | T=85°C, RH=85%, VD=80V | 0 Fail | 77 x 1 | Pass |
| HAST | T=130°C, RH=85%, VD=42V | 0 Fail | 77 x 1 | Pass |
| HTSL | T=150°C | 0 Fail | 77 x 1 | Pass |
| HTOL | LLC, Vin=60V, Fsw=1MHz, Tj＞125°C | 0 Fail | 10 x 1 | Pass |
| HBM | All Pins | 0 Fail | 3 x 1 | Class 1C |
| CDM | All Pins | 0 Fail | 3 x 1 | Class C2a |
