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1.1 特性
- 硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
- 极低栅极电荷
- 极低导通电阻
- 超小封装尺寸
- 零反向恢复电荷
产品
INN150LA070A
150V增强型氮化镓功率半导体
1. 产品描述
采用FCLGA 3.2mm x 2.2mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管
1.2应用市场
- 同步整流
- Class D功放
- 高频DC-DC转换器
- 通信基站
- 电机驱动
2. 可靠性测试
| Platform (S150E2.0) | ||||
|---|---|---|---|---|
| Product (INN150LA070A) | ||||
| Test Items | Test Conditions | Sample Size (Unit x Lot) | #Fail | Result |
| MSL3 | T=30°C, RH=60%, 3 x reflow, 192hrs | 25 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTRB | T=150°C, VD=120V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTGB | T=150°C, VG=5.5V, 1000hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTSL | T=150°C | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| TC | -40 to +125°C, Air, 1000Cys | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HAST | T=130°C, RH=85%, VD=42V, 96hrs | 77 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HTOL | QR system: Tj=125°C, Vplatform=120V, Power out=120W, Vout=20V, f=130KHz |
8 x 3 | 0 Fail | Pass |
| HBM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class 1B |
| CDM | All Pins | 3 x 1 | 0 Fail | Class C2b |
2. 140W All GaN-QR 参考设计
2.1 拓扑图
2.2 关键规格
高效率：96% @230Vac
小尺寸：196mm*35mm*13mm
高功率密度：35W/in3
2.3 应用领域
笔记本电脑 USB PD3.1
电动工具
| Parameter | Value |
|---|---|
| VDS,max | 150V |
| RDS(on),max @ VGS = 5 V | 7mΩ |
| QG,typ @ VDS = 85 V | 7.6nC |
| ID,pulse | 120A |
| QOSS @ VDS = 85 V | 47nC |
