繁体
English
1.1 特性
- 带栅极驱动器的5.5mΩ半桥GaN FET
- 80V连续电压、100V瞬态额定电压
- 最高可切换5MHz
- 独立的高压侧和低压侧PWM输入
- 高侧和低侧驱动器联锁
- 内置强大而智能的启动开关
- 自适应透射保护
- 快速传播延迟（典型值为20ns）
- 出色的延迟匹配（典型值为1ns）
- 内置UVLO、OVLO、OTP保护
- 35μA低VCC静态电流
- 集成VCC/BST电容器
- 高达50V/ns的dv/dt抗扰度
- 可调节的开启速度
- 针对简单和低EMI PCB布局进行了优化
- LGA 5mmx6.5mm封装，1.12mm轮廓
