1.1 特性
- 集成30mΩ E型GaN
- 700V连续、800V瞬态额定电压
- 宽10V至24V栅极输入电压范围
- 可调节的开启和关闭回转率
- 集成米勒夹
- dv/dt抗扰度高达100V/ns
- 并行能力
- 零反向恢复费用
- 高达2MHz的高频操作
- 内置DESAT的短路保护
- 输入UVLO和OTP保护
- 提供TO-247-4L包装
带DESAT保护的700V合封氮化镓
搭配先进700V E型GaN FET 的合封氮化镓IC ISG6122。
Parameter | Value |
---|---|
VDS,max | 700V |
RDS(on),typ | 30mΩ |
RDS(on),max | 39mΩ |
ID,max | 63A |