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INV120EQ035A

120V增强型双向导通GaN功率晶体管

1. 产品描述

基于先进的VGaN技术的双向导通120V硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管，采用 4mmX6mm En-FCQFN 封装。

1.1 特性

双向阻断能力
硅基GaN E型HEMT技术
超低导通电阻

1.2 应用市场

BMS电池保护
双向转换器中的高压侧负载开关
多电源系统中的开关电路

Parameter	Value
V_DD,max	120V
R_DD(on),max @ V_G = 5 V	3.5mΩ
Q_G,typ @ V_DD = 50 V	102nC
I_D,DC	100A

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可靠性报告

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